[发明专利]一种压电双晶片电荷驱动电路有效
| 申请号： | 201910856104.5 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110518829B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 潘成亮;戴天亮;石超;于连栋;夏豪杰;李维诗;胡民港;丰安辉 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H02N2/06 | 分类号： | H02N2/06 |
| 代理公司： | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人： | 刘海涵 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电双晶片电荷驱动电路，涉及压电精密驱动控制领域，压电双晶片的上层和下层电压片分别与传感电容串联设置在高压直流正负电源之间，高压放大器的输出端连接压电双晶片的中间公共电极，传感电容精确感知上层和下层压电片的电荷，并通过隔离放大器和差动放大器处理后与控制信号源比较，反馈控制压电双晶片的电荷差值。本发明简化压电双晶片的驱动电路，降低控制系统成本，避免反向电压驱动，利用电荷驱动方法极大提高了压电双晶片弯曲位移的控制精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 双晶 电荷 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种压电双晶片电荷驱动电路，其特征在于：包括压电双晶片、传感电容A、传感电容B、高压直流正电源、高压直流负电源、高压放大器、隔离放大器A、隔离放大器B、差动放大器和控制信号源；/n所述压电双晶片的上层压电片通过其上电极与传感电容A串联后连接高压直流正电源，所述压电双晶片的下层压电片通过其下电极与传感电容B串联后连接高压直流负电源，上层压电片和下层压电片的中间公共电极连接高压放大器的输出端；/n所述隔离放大器A的输入端与传感电容A连接，所述隔离放大器B的输入端与传感电容B连接；/n所述差动放大器的输入端分别与隔离放大器A和隔离放大器B的输出端连接；/n所述高压放大器的输入端分别与控制信号源和差动放大器的输出端连接。/n
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