[发明专利]连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 201910856218.X | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110656322A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 彭伟伦;林忠宝;周亮 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;G01J9/00 |
| 代理公司： | 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质，方法包括：经第一生长周期获得第一组外延片；获得第一组外延片中的每一个外延片的不同位置的多个波长值；根据多个波长值计算得到第一组外延片的每一个外延片的平均波长偏差值以及若干个外延片的总平均波长偏差值；比较第一生长周期的总平均波长偏差值与第一组外延片的目标波长，并根据比较结果调整气体流量参数以在第二生长周期中进行第二组外延片的生长。该方法完全可以实现外延片生长的参数的智能化自动控制，使得MOCVD系统的参数的调整更加统一，更加准确，从而提高MOCVD设备不同的生长周期生长的外延片波长一致性，提高外延片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 生长周期 平均波长 波长 生长 气体流量参数 波长一致性 外延片生长 存储介质 目标波长 智能化 良率 统一 | ||
【主权项】：
1.一种连续生长外延片的方法，所述方法采用MOCVD系统进行所述外延片的连续生长，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n经第一生长周期获得第一组外延片，所述第一组外延片包括若干个外延片；/n获得所述第一组外延片中的每一个外延片的不同位置的多个波长值；/n根据所述多个波长值计算得到所述第一组外延片的每一个外延片的平均波长偏差值以及若干个所述外延片的总平均波长偏差值；/n比较所述第一生长周期的所述总平均波长偏差值与所述第一组外延片的目标波长，并根据比较结果调整气体流量参数以获得第二生长周期的所述气体流量参数；/n根据调整后的所述气体流量参数在所述第二生长周期中进行第二组外延片的生长。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910856218.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
