[发明专利]一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法在审
| 申请号： | 201910856425.5 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110408992A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘世龙;张志强;王剑;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 江苏美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立;艾中兰 |
| 地址： | 212200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法，通过将筛选过尺寸的多晶籽晶平铺在坩埚底部的氮化硅涂层上，采用按压的方式，使多晶硅籽晶能够较好的穿透氮化硅涂层，穿透的孔隙大小比较均匀，因此可以形成尺寸较小、大小均匀、位错源少的全融高效多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅锭 位错 氮化硅涂层 晶粒 籽晶 制备 按压 大小比较 穿透的 多晶硅 多晶 平铺 坩埚 穿透 筛选 | ||
【主权项】：
1.一种位错密度低、优质晶粒占比高的全融高效多晶硅锭制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)选取多晶籽晶，使用网筛对多晶籽晶进行筛选，得到尺寸在3mm‑10mm范围内的多晶籽晶；2)选取全融高效坩埚，坩埚底部铺一层石英砂；3)对坩埚底部和四个侧壁喷涂氮化硅浆料形成氮化硅涂层；4)将步骤1)筛选得到的多晶籽晶均匀平铺在坩埚底部；5)使用底面平整的硅料对多晶籽晶进行按压，使多晶籽晶穿透氮化硅涂层与石英砂接触；6)将头料、尾料、边皮等循环料和原生多晶硅料装入坩埚内，采用全融工艺得到高效多晶硅铸锭。
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