[发明专利]一种PEC适配体传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910856428.9 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN110702750B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 补钰煜;李阳;戴显英 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/327
代理公司: 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 代理人: 汪重庆
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种具有高特异性和超高检测灵敏度的PEC适配体传感器及其制备方法,其中,该PEC适配体传感器包括:BiVO4薄膜(作为光阳极)、DNA适配体和g‑C3N4薄膜,该PEC适配体传感器以g‑C3N4薄膜作为光阳极和DNA适配体之间的界面调和体,g‑C3N4薄膜的厚度为5nm~15nm。本发明的有益之处在于:BiVO4薄膜和g‑C3N4薄膜之间能带结构存在差异,这种能带结构差异可促进BiVO4薄膜上的光生空穴向g‑C3N4薄膜方向定向转移,从而可显著提高光生空穴向待检测物质定向输运的能力,所以该PEC适配体传感器具有超高的检测灵敏度,另外,g‑C3N4薄膜对DNA适配体具有良好的π‑π吸附特性,可有效固定DNA适配体,从而实现对待检测物质的高特异性捕获,所以该PEC适配体传感器具有高特异性。
搜索关键词: 一种 pec 适配体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有高特异性和超高检测灵敏度的PEC适配体传感器,包括:BiVO
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