[发明专利]一种氮化物半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910858555.2 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110541158A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 郭志宏 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;C30B29/40;C30B25/16 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料的制备领域，尤其是一种氮化物半导体材料的制备方法，针对现有的不便于对热量进行回收利用，造成能源的浪费的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：将硅衬底置于外延反应室中，升温去除其表面的自然氧化层，通过控制机构控制气体流量，通过导流机构通入氮源，使硅衬底表面形成晶态Si3N4层；S2：通入铝源，将晶态Si3N4层转化为AlN成核层，在AlN成核层上外延生长氮化物半导体材料；S3：对升温形成的热气进行回收，对材料进行预热；S4：对制备的氮化物半导体材料进行检验，本发明能够对热气进行回收利用，避免能源的浪费，同时可以对进气速度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体材料 制备 回收利用 成核层 晶态 热气 半导体材料 控制气体流量 硅衬底表面 外延反应室 自然氧化层 导流机构 外延生长 硅衬底 预热 氮源 进气 铝源 能源 去除 回收 检验 转化 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：将硅衬底置于外延反应室中，升温去除其表面的自然氧化层，通过控制机构控制气体流量，通过导流机构通入氮源，使硅衬底表面形成晶态Si3N4层；/nS2：通入铝源，将晶态Si3N4层转化为AlN成核层，在AlN成核层上外延生长氮化物半导体材料；/nS3：对升温形成的热气进行回收，对材料进行预热；/nS4：对制备的氮化物半导体材料进行检验。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
