[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910858779.3 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110649130A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 霍瑞霞;崔志勇;薛建凯;郭凯 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种紫外发光二极管，其包括：外延结构；微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上。通过上述方案由P型半导体材料层、薄型化微孔结构层、P型欧姆接触层组成全方位反射镜。发光层发出的光经过ODR的反射从N电极发出，利用微孔结构和空气界面的全反射及菲涅耳散射，从而最大化地减少现有技术存在的金属反射镜的金属对紫光的吸收，提高了光的提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 微孔结构层 匹配区域 电极 外延结构 微孔 紫外发光二极管芯片 紫外发光二极管 全方位反射镜 金属材料层 金属反射镜 负极电极 空心孔洞 实心区域 提取效率 微孔结构 薄型化 发光层 全反射 最大化 散射 紫光 反射 匹配 金属 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，其包括：/n紫外发光二极管的外延结构，所述紫外发光二极管的外延结构包括N型半导体材料层、量子阱和P型半导体材料层；/n微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；/nP型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上；/n键合层，键合层设置在P型欧姆接触层与所述微孔结构层接触侧的相对一侧，所述键合层由金属制成；/n键合衬底，所述键合衬底设置在键合层与所述P型欧姆接触层接触侧的相对一侧。/n
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