[发明专利]晶片的外周缘上表面高度测量装置在审
| 申请号： | 201910858791.4 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110953997A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 牧野香一;野口慎一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01B21/22;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的外周缘上表面高度测量装置，把握贴合晶片中的外周上表面的高度的偏差。原点识别部根据贴合晶片(1)中的外周上表面的高度的测量结果，对贴合晶片(1)的切口(9)进行识别。并且，控制单元求出从原点识别部识别切口的时刻起的旋转轴(13)的旋转角度。控制单元还生成将所求出的旋转角度与在各旋转角度下测量的外周上表面的高度进行对应而得到的对应数据，并存储于存储部。这样能够将贴合晶片(1)的切口(9)作为旋转角度的原点，存储将从该原点起的旋转角度和与各旋转角度对应的外周上表面的高度进行对应而得到的对应数据。因此，通过使用这样的对应数据，能够良好地把握贴合晶片(1)中的外周上表面的高度的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 周缘 表面 高度 测量 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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