[发明专利]一种第二相掺杂的TiNiSn基Half-Heusler热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910858826.4 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110649147A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 康慧君;王同敏;杨雄;陈宗宁;郭恩宇;李廷举;曹志强;卢一平;接金川;张宇博 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/20 | 分类号： | H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 21208 大连星海专利事务所有限公司 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种第二相掺杂的TiNiSn基Half‑Heusler热电材料及其制备方法。所述热电材料的加工方法，包括以下步骤：配置TiNiSn和TiNi | ||
| 搜索关键词： | 热电材料 第二相 制备 掺杂的 放电等离子体烧结 形貌 干燥处理 平均晶粒 原位生长 烧结 研磨 熔炼 粉体 铸锭 配制 配置 加工 | ||
【主权项】：
1.一种具有第二相掺杂的TiNiSn基Half-Heusler热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n配置TiNiSn原料和TiNi
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