[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201910859361.4 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110890364A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 金东铉;朴成哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 可以提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法,该半导体器件包括:基板,具有多个有源鳍,所述多个有源鳍中的每个有源鳍沿第一方向延伸;第一栅极结构和第二栅极结构,跨过所述多个有源鳍,第一栅极结构和第二栅极结构沿不同于第一方向的第二方向延伸,第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开;至少一个绝缘阻挡物,沿第一方向延伸并在所述多个有源鳍之间,绝缘阻挡物使第一栅极结构的下部和第二栅极结构的下部彼此分隔;以及栅极隔离层,连接到绝缘阻挡物的一部分,栅极隔离层使第一栅极结构的上部和第二栅极结构的上部彼此分隔。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的