[发明专利]一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料及其制备和调控反位缺陷的方法有效
| 申请号： | 201910859369.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110640138B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 康慧君;王同敏;杨雄;郭恩宇;陈宗宁;李廷举;曹志强;卢一平;接金川;张宇博 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B22F3/105 | 分类号： | B22F3/105;B22F3/24;B22F9/04;C22C1/02;C22C30/04;C22F1/00;H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料及其制备和调控反位缺陷的方法，ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料的制备和调控反位缺陷的方法包括以下步骤：在氩气氛围或者密闭无氧环境中按照原子比1：1：1将Zr、Ni、Sn混合，将混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼得到铸锭，将铸锭研磨后干燥获得粉体，采用放电等离子体烧结技术将粉体烧结后至于真空容器中，热处理后淬火得到ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料。本发明所述方法流程短、步骤少、易控制，能成功的制备出具有反位缺陷的ZrNiSn单相Half‑Heusler热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zrnisn half heusler 热电 材料 及其 制备 调控 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料的制备和调控反位缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n按照原子比1：1：1将Zr、Ni、Sn混合，将混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼得到铸锭，将铸锭研磨后干燥获得粉体，采用放电等离子体烧结技术将粉体烧结后至于真空容器中，热处理后淬火得到ZrNiSn基Half-Heusler热电材料。/n
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