[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910859763.4 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN110718505A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;施信益 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，此方法包含下列步骤，接收基板，基板具有上表面及下表面；形成第一凹槽从上表面向下表面延伸，第一凹槽具有第一深度；形成第二凹槽从上表面向下表面延伸，第二凹槽具有小于第一深度的第二深度；在第一凹槽及第二凹槽中形成第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二导电层，第二导电层借由第一绝缘层与第一导电层隔离；以及从下表面薄化基板以暴露出第一凹槽中的第二导电层。借此，本发明的制作半导体结构的方法，由于可以利用相同的蚀刻工艺形成电容结构和通孔结构，而使得制作方法更为简单且成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 第二导电层 第一导电层 上表面 半导体结构 向下表面 下表面 制作 薄化基板 电容结构 接收基板 蚀刻工艺 通孔结构 延伸 基板 隔离 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n通孔结构，其延伸穿过材料，所述通孔结构包括：/n第一内导体；/n第一外导体，其环绕所述第一内导体，且与所述第一内导体共轴；以及/n第一内绝缘体，其位于所述第一内导体与所述第一外导体之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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