[发明专利]一种晶体生长装置在审
| 申请号： | 201910859971.4 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110592660A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；加热器导流罩，配置为将所述加热器的顶部和侧面包围；导气孔，所述导气孔设置于所述加热器的上方的所述加热器导流罩上，以连通晶体生长装置的顶部空间与所述加热器的周围空间。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器的上方的加热器导流罩上设置导气孔以连通晶体生长装置的顶部空间与加热器的周围空间，使加热器一直处于流动的保护气体的气氛中，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 晶体生长装置 导流罩 导气孔 坩埚 顶部空间 晶体生长 周围空间 连通 配置 加热器表面 保护气体 使用寿命 加热 熔体 盛装 包围 侧面 侵蚀 流动 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：/n坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；/n加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；/n加热器导流罩，配置为将所述加热器的顶部和侧面包围；/n导气孔，所述导气孔设置于所述加热器的上方的所述加热器导流罩上，以连通晶体生长装置的顶部空间与所述加热器的周围空间。/n
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