[发明专利]功率模块钼搭桥连接方法在审
| 申请号： | 201910860002.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110544680A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 曹剑龙;宗瑞 | 申请（专利权）人： | 浙江世菱电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492 |
| 代理公司： | 33213 杭州浙科专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 321400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率模块钼搭桥连接方法，涉及半导体模块连接结构方法技术领域，其包括DBC基板、设置于所述DBC基板上的第一芯片、钼桥、铅锡焊料、第二芯片和一端与第一芯片焊接另一端与第二芯片焊接的铜片。该功率模块钼搭桥连接方法，针对于传统工艺上，芯片本身热阻较大，综合性能指标下降，而新型工艺中，由于键合铝线过多，往往导致作业时间长，效率底，对生产设备有比较高的要求，前期投资成本高，本发明通过采用平面芯片，使用铅锡烧结，使得芯片与铜片之间能够简单快速的连接，同时利用钼桥进行过渡连接，实现各种方式的连接，这样使得加工作业简单，提高了工作效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 功率模块 芯片焊接 基板 铜片 搭桥 铝线 综合性能指标 半导体模块 传统工艺 工作效率 过渡连接 连接结构 平面芯片 铅锡焊料 生产设备 新型工艺 烧结 键合 铅锡 热阻 生产成本 加工 投资 | ||
【主权项】：
1.一种功率模块钼搭桥连接方法，包括DBC基板(1)、设置于所述DBC基板(1)上的第一芯片(2)、钼桥(3)、铅锡焊料(4)、第二芯片(6)和一端与第一芯片(2)焊接另一端与第二芯片(6)焊接的铜片(5)，其特征在于：所述DBC基板(1)表面的两个第一芯片(2)利用铅锡高温烧结，使用大小不一的铜片(5)作为连接载体，在第一芯片(2)与铜片(5)的一端和第二芯片(6)与铜片(5)的另一端之间均利用钼桥(3)实现过渡连接，实现各种连接方式。/n
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