[发明专利]一种绝缘栅结构及其制造方法以及功率器件在审
| 申请号： | 201910860978.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112490283A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;史波;曾丹;廖勇波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 姜波 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅结构，涉及功率半导体领域。包括绝缘部和第一介质，绝缘部具有一端开口的容纳槽，第一介质设置于容纳槽内；绝缘部包括相互连接的第一绝缘壁和第二绝缘壁，第一绝缘壁靠近开口，第一绝缘壁的厚度小于第二绝缘壁的厚度。由于增大了第二绝缘壁的厚度，使得绝缘部的整体平均厚度增加，从而降低了绝缘栅结构的栅极电容。在工作时，离子层组提供的电压只需在第一绝缘壁处形成反型层，即可使功率器件正常工作，而由于第一绝缘壁的厚度较薄，故而离子层组不需要提供过高的开启电压，从而较小了功率器件的能耗。由此可见，本发明提供的绝缘栅结构，在降低了绝缘栅结构的栅极电容的同时，避免了功率器件的能耗过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 结构 及其 制造 方法 以及 功率 器件 | ||
【主权项】：
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