[发明专利]窄台面超结MOSFET在审
| 申请号： | 201910861287.X | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110943119A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | G·H·罗切尔特;G·M·格里弗纳;J·李;M·高;Y·蔡 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/764;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“窄台面超结MOSFET”。本发明提供了一种晶体管器件，该晶体管器件包括在基板上形成超结结构的n掺杂立柱和p掺杂立柱。隔离结构设置在n掺杂立柱和p掺杂立柱之间的沟槽中，并且源极和栅极设置在n掺杂立柱上。该隔离结构可以包括由氧化物插塞封闭在沟槽中的空气间隙。该隔离结构可以包括设置在n掺杂立柱和p掺杂立柱的表面上的外延衬件。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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