[发明专利]SIC MOSFET半导体封装件及相关方法在审
| 申请号： | 201910861400.4 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110931446A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | M·C·艾斯达西欧;J·蒂萨艾尔;E·A·卡巴雨歌 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“SIC MOSFET半导体封装件及相关方法”。本发明公开了一种半导体封装件。半导体封装件的具体实施方式可以包括：一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯耦接在基架和夹具之间，该基架包括与一个或多个半导体管芯的栅极焊盘耦接的基架的栅极焊盘以及与一个或多个半导体管芯的源极焊盘耦接的基架的源极焊盘，其中基架的栅极焊盘延伸超出一个或多个半导体管芯的周边。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 半导体 封装 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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