[发明专利]一种基于纳米盘结构的多波段滤光传感器及其制备方法在审
申请号: | 201910862087.6 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110444557A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 曹笈;朱滨;孙英豪;刘文朋;刘钢;谷雨 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 吴飞 |
地址: | 215104 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米盘结构的多波段滤光传感器,包括基底电路层,所述基底电路层上设置有电连接的光敏器件层,所述光敏器件层上设置有滤光结构层,所述滤光结构层上设置平坦层;所述滤光结构层由纳米盘阵列组成,所述纳米盘阵列包括多个子阵列,各子阵列包括多个纳米盘,相同子阵列内的纳米盘具有相同的直径和周期,不同子阵列中的纳米盘具有不同的直径和周期。利用氢化非晶硅纳米盘结构实现了彩色滤光,兼容异质基底上以及CMOS工艺,可直接在现有CMOS图像晶圆上沉积薄膜,制备工艺简单,非晶硅纳米盘结构利用的是米氏散射实现电偶极子和磁偶极子的共振,通过改变纳米盘几何参数可实现特定波长的光的选择,波长选择灵活,可以实现多波长滤光。 | ||
搜索关键词: | 纳米盘 滤光结构 子阵列 滤光传感器 光敏器件 基底电路 多波段 多个子阵列 氢化非晶硅 波长选择 彩色滤光 沉积薄膜 磁偶极子 电偶极子 几何参数 结构实现 米氏散射 制备工艺 电连接 多波长 非晶硅 平坦层 波长 共振 基底 晶圆 滤光 异质 制备 兼容 灵活 | ||
【主权项】:
1.一种基于纳米盘结构的多波段滤光传感器,其特征在于:包括基底电路层(1),所述基底电路层(1)上设置有电连接的光敏器件层(2),所述光敏器件层(2)上设置有滤光结构层(3),所述滤光结构层(3)上设置平坦层(4);所述滤光结构层(3)由纳米盘阵列组成,所述纳米盘阵列包括多个子阵列(31),各子阵列(31)包括多个纳米盘,相同子阵列(31)内的纳米盘具有相同的直径和周期,不同子阵列(31)中的纳米盘具有不同的直径和周期;在所述平坦层(4)上还设置有微透镜阵列(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的