[发明专利]具有减少的缺陷的半导体外延结构在审
| 申请号： | 201910862592.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112490278A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张峻铭;侯俊良;廖文荣;卢明昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有减少的缺陷的半导体外延结构，包含一基底，该基底上具有一凹槽、一岛状绝缘体，设置在该凹槽的底面上、间隔壁，设置在该凹槽的侧壁上、一缓冲层，设置在该凹槽中并盖住该岛状绝缘体、一通道层，设置在该凹槽中以及该缓冲层上、以及一阻障层，设置在该凹槽中以及该通道层上，其中该通道层中形成二维电子气或是二维空穴气。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 缺陷 半导体 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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