[发明专利]一种拉晶装置、设备及方法在审
| 申请号： | 201910863523.1 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110512278A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 兰洵;全铉国 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静;刘伟<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种拉晶装置、设备及方法，拉晶装置包括：坩埚，包括一用于容纳硅熔液的容纳空间；磁场发射部，用于向坩埚处输出磁场；温度测量部，用于测量一个或多个指定位置的硅熔液的温度值；控制部，控制部分别与磁场发射部和温度测量部连接，控制部用于接收温度测量部发送的一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，根据一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，确定磁场发射部输出磁场的目标磁场强度，并控制磁场发射部输出强度为目标磁场强度的磁场。这样可以对磁场进行自动化调控，能将硅熔液的对流强度控制在一定范围内，进而优化硅熔液对流变化所导致的硅熔液内部的热传导，为硅晶体生长提供更加稳定的工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 硅熔液 磁场发射部 磁场 温度测量部 拉晶装置 目标磁场 输出 坩埚 对流 自动化调控 工艺条件 强度控制 容纳空间 硅晶体 热传导 测量 发送 容纳 生长 优化 | ||
【主权项】：
1.一种拉晶装置，其特征在于，包括：/n坩埚，包括一用于容纳硅熔液的容纳空间；/n磁场发射部，用于向所述坩埚处输出磁场；/n温度测量部，用于测量一个或多个指定位置的硅熔液的温度值；/n控制部，所述控制部分别与所述磁场发射部和所述温度测量部连接，所述控制部用于接收所述温度测量部发送的一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，根据一个或多个指定位置的硅熔液的温度值，确定所述磁场发射部输出磁场的目标磁场强度，并控制所述磁场发射部输出强度为目标磁场强度的磁场。/n
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