[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910864390.X 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110941148B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 刘朕与;林子扬;张雅晴;张庆裕;林进祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李慧慧;向勇
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种半导体装置的制造方法。本公开的一些实施例提供一种方法,包括:形成第一层于基板之上并形成黏着层于所述第一层之上,其中所述黏着层具有包括环氧基团的组合物。形成光刻胶层,所述光刻胶层直接位于黏着层上。将所述光刻胶层的一部分曝光于辐射源下。利用环氧基团使所述黏着层的组合物与所述光刻胶层的曝光部分交联。通过像是负型显影剂来显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案部件,所述光刻胶图案部件可覆盖所形成的交联区域。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
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