[发明专利]高深宽比开口的刻蚀方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910866100.5 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110571150B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王猛;黄海辉;左明光;曾最新;朱宏斌;霍宗亮;程卫华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高深宽比开口的刻蚀方法及半导体器件。所述高深宽比开口的刻蚀方法包括以下步骤：利用包括刻蚀气体、氧源气体和惰性载气的馈送气体对电介质层进行干法刻蚀，以形成开口，所述惰性载气占所述馈送气体的流量比例为4％‑21％。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 开口 刻蚀 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比开口的刻蚀方法，包括以下步骤：/n利用包括刻蚀气体、氧源气体和惰性载气的馈送气体对电介质层进行干法刻蚀，以形成开口，所述惰性载气占所述馈送气体的流量比例为4％-21％。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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