[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910867631.6 | 申请日： | 2019-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN112509983B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王昊;陈洪雷;夏志平;姚国亮;陈伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在衬底第一阱区上形成第一栅叠层；采用光刻胶掩膜遮挡衬底第二区域中的至少部分，采用第一栅叠层作为硬掩膜，在第一阱区以及衬底第二区域中分别形成第二掺杂类型的第一源、漏区、第一掺杂区；去除光刻胶掩膜，采用第一栅叠层作为硬掩膜，在第二区域的第二阱区中形成第一掺杂类型的第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区接触以形成PN结构，在形成第二掺杂区的步骤中，第一源、漏区以及第一掺杂区的第二掺杂类型的掺杂剂复合第一掺杂类型的掺杂剂，第一源、漏区、第一掺杂区的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。该制造方法在形成PN结构时可以省去附加的掩膜和光刻步骤，因而可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
