[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201910868922.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111128734A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 布兰丁·迪里耶;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔;马丁·克里斯多夫·霍兰德;荷尔本·朵尔伯斯;乔治·瓦伦提斯;堤姆斯·文森 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，在半导体层的沟道区域上方形成伪栅极结构，在伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极外延层，对源极/漏极外延层实施平坦化操作，图案化平坦化的源极/漏极外延层，去除伪栅极结构以形成栅极间隔，以及在栅极间隔中形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
