[发明专利]集成电路器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910868960.2 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111128882B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文提供了具有互连结构的集成电路器件和用于形成集成电路器件的方法的实例，互连结构包括掩埋互连导体。在一些实例中，该方法包括：接收衬底，该衬底包括从衬底的剩余部分延伸的多个鳍。在多个鳍之间形成间隔件层，并且在多个鳍之间的间隔件层上形成掩埋互连导体。在多个鳍之间的掩埋互连导体上形成一组覆盖层。穿过一组覆盖层蚀刻接触凹槽，接触凹槽暴露掩埋互连导体，并且在接触凹槽中形成接触件，该接触件电耦合到掩埋互连导体。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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