[发明专利]一种双响应GaN紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双响应GaN紫外探测器及其制备方法，包括：1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；2)所述n型掺杂GaN层上生长m层不同In组分本征掺杂InxGa1‑xN结构，其中m≥3；3)所述m层不同In组分本征掺杂InxGa1‑xN结构上生长p型掺杂GaN层；4)刻蚀所述p型掺杂GaN层和所述m层不同In组分本征掺杂InxGa1‑xN层；5)沉积钝化层；6)刻蚀所述钝化层并沉积金属电极。本发明的GaN探测器是PIN结构探测器，能够实现快速、准确、高灵敏度的紫外光探测；其次，本发明的探测器能够在输出光电信号的同时发出白光指示信号，实现了人眼可见的探测提示以及光信号测量。

主权项

1.一种双响应GaN紫外探测器及其制备方法，其特征在于：包括/n1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；/n2)所述n型掺杂GaN层上生长m层不同In组分本征掺杂In