[发明专利]一种Ge基CMOS晶体管制备方法

摘要

本发明公开了一种Ge基CMOS晶体管制备方法，包括步骤：提供Ge衬底；在Ge衬底上形成栅堆叠，以及在栅堆叠的两侧分别形成第一源/漏区和第二源/漏区，以分别形成NMOS和PMOS晶体管；分别对NMOS和PMOS晶体管进行注入处理，并在注入处理后，对NMOS和PMOS晶体管进行退火处理；循环上述注入处理和退火处理若干次；在NMOS晶体管上，依次形成第一金属氧化物层和第一金属层；并在PMOS晶体管上，形成材料层；其中，材料层包括第二金属氧化物层和第二金属层，或第二金属层；在NMOS晶体管上的第一金属层包围的区域内，填充第三金属层；在PMOS晶体管上的材料层包围的区域内，填充第三金属层。本发明提供的Ge基CMOS晶体管制备方法，降低CMOS晶体管源漏接触电阻，提升CMOS晶体管的性能。

主权项

1.一种Ge基CMOS晶体管制备方法，其特征在于，步骤包括：/n提供Ge衬底，所述Ge衬底包括NMOS区域和PMOS区域；/n在所述Ge衬底上形成栅堆叠，以及在所述栅堆叠的两侧分别形成第一源/漏区和第二源/漏区，以分别形成NMOS晶体管和PMOS晶体管；/n分别对所述NMOS晶体管和PMOS晶体管进行注入处理，并在所述注入处理后，对所述NMOS晶体管和PMOS晶体管进行退火处理；/n循环上述注入处理和退火处理若干次；/n在所述NMOS晶体管上，依次形成第一金属氧化物层和第一金属层；并在所述PMOS晶体管上，形成材料层；其中，所述材料层包括第二金属氧化物层和第二金属层，或第二金属层；/n在所述NMOS晶体管上的所述第一金属层包围的区域内，填充第三金属层；在所述PMOS晶体管上的所述材料层包围的区域内，填充所述第三金属层。/n