[发明专利]一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料及其制备方法

摘要

本发明公开了硅材料技术领域的一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法，如下步骤，硅片准备，选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小，硅片清洗，先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10～20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10～20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用，钛薄膜的制备，在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片，将带有钛薄膜的硅片用激光辐照，采用YAG，Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，提高基片表面活性，从而增加钛薄膜薄膜与硅片的结合力，使得氮化钛薄膜表面颗粒增加的现象得到明显控制，大大提高晶体硅的整体性能。

主权项

1.一种含有钛杂质中间带的晶体硅材料的其制备方法，其特征在于：如下步骤：/n硅片准备：选取硅片，将硅片进行裁剪成所使用硅片正常大小；/n硅片清洗：先用双氧水和浓硫酸的混合溶液超声清洗基片10～20min，再用去离子水清洗，然后再把基片先后放入丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水中超声10～20min，清洗结束后将基片置于烘箱干燥待用；/n钛薄膜的制备：在准备好的硅片表面制备生成含有钛薄膜的硅片；/n将带有钛薄膜的硅片用激光辐照：采用YAG：Nd一维线型连续激光，激光器的电流为20～30A，扫描速率为3～10mm/s；/n脱离硅片表面钛薄膜中的氟离子：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；/n钝化硅片表面钛薄膜：用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理；/n退火处理：退火处理的温度为400～800℃，退火处理的时间可为10～30min。/n