[发明专利]一种硅基三维扇出集成封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910870925.4 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110491853A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨立秋<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供背面沉积有截止层的硅基，在所述截止层上键合玻璃载板；接着在所述硅基正面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在凹槽中埋入母芯片并用干膜材料填满；然后将若干个子芯片焊接到所述硅基正面，并塑封整个硅基正面；去除所述玻璃载板和所述截止层，在所述母芯片和硅基背面分别刻蚀凹槽并埋入子芯片；再用干膜材料填满，在子芯片的焊盘处开口，完成n层布线；最后制作阻焊层和凸点，最后减薄、切割完成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 截止层 玻璃载板 材料填满 母芯片 子芯片 干膜 埋入 背面 集成电路封装 集成封装 刻蚀凹槽 阻焊层 布线 焊盘 减薄 键合 刻蚀 扇出 塑封 凸点 沉积 去除 封装 切割 三维 开口 并用 芯片 制作 | ||
【主权项】：
1.一种硅基三维扇出集成封装方法，其特征在于，包括：/n提供背面沉积有截止层的硅基，在所述截止层上键合玻璃载板；/n在所述硅基正面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在凹槽中埋入母芯片并用干膜材料填满；/n将若干个子芯片焊接到所述硅基正面，并塑封整个硅基正面；/n去除所述玻璃载板和所述截止层，在所述母芯片和硅基背面分别刻蚀凹槽并埋入子芯片；/n用干膜材料填满，在子芯片的焊盘处开口，完成n层布线；/n制作阻焊层和凸点，最后减薄、切割完成封装。/n
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