[发明专利]一种硅材料制作方法有效
| 申请号： | 201910871221.9 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110629241B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邹星礼;庞忠亚;唐蔚;施天宇;汪淑娟;鲁雄刚;许茜 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C25B1/33 | 分类号： | C25B1/33;C25B9/09 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅材料制作方法，其特征在于包括以下步骤：/nS1，将CaCl
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