[发明专利]一种多层膜合金化制备太阳能电池吸收层材料硒化锑/硫硒化锑的方法有效
| 申请号： | 201910871357.X | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110581073B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋立峰;陈超;陈涛;朱长飞;江国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/363;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多层膜扩散合金化制备太阳能电池吸收层材料硒化锑/硫硒化锑的方法，包括以下步骤：A)在太阳能电池的电子传输层表面沉积金属锑膜；B)在金属锑膜表面沉积硒薄膜或二硫化硒薄膜，得到复合薄膜；C)在所述复合薄膜表面覆盖衬底后，在保护气氛条件下，在垂直于复合薄膜的方向施加压力并进行热处理，得到太阳能电池吸收层。本发明提供的方法简单，得到的吸收层材料具有组分可控的优势，并且无杂相、结晶性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 合金 制备 太阳能电池 吸收 材料 硒化锑 硫硒化锑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层膜扩散合金化制备太阳能电池吸收层材料硒化锑/硫硒化锑的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA)在太阳能电池的电子传输层表面沉积金属锑膜；/nB)在金属锑膜表面沉积硒薄膜或二硫化硒薄膜，得到复合薄膜；/nC)在所述复合薄膜表面覆盖衬底后，在保护气氛条件下，在垂直于复合薄膜的方向施加压力并进行热处理，得到太阳能电池吸收层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910871357.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的制造方法
- 下一篇：薄膜太阳能电池的组合蒸发和溅射工具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
