[发明专利]一种射频开关电路结构在审
| 申请号： | 201910871710.4 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110719092A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张志浩;钟立平;李嘉进;蓝焕青;章国豪 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/51;H03K17/56 |
| 代理公司： | 44329 广东广信君达律师事务所 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种射频开关电路结构，其特征在于，包括N个堆叠的晶体管，第一个晶体管的漏极作为射频输入端，最后一个晶体管的源极作为射频输出端；当晶体管存在体区时，最后一个晶体管的体区通过体公共电阻连接体偏置电压。每相邻的两个晶体管中，前一个晶体管的源极与后一个晶体管的漏极相连，前一个晶体管的栅极通过栅电阻连接后一个晶体管的栅极，且每个晶体管的漏极和源极之间均连接有漏源电阻。本发明通过改变栅偏置电阻和体偏置电阻的拓扑结构有效地改善大电压摆幅在各个堆叠的晶体管上的不均匀分布，一方面可以提高开关的功率处理能力和线性度，另一方面可以有效防止堆叠链上靠前的晶体管率先出现高电压击穿现象，提高开关的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 堆叠 漏极 源极 功率处理能力 射频开关电路 不均匀分布 高电压击穿 射频输出端 射频输入端 栅偏置电阻 电压摆幅 公共电阻 漏源电阻 偏置电压 拓扑结构 连接体 体偏置 线性度 有效地 栅电阻 电阻 区时 体区 | ||
【主权项】：
1.一种射频开关电路结构，其特征在于，包括N个堆叠的晶体管；所述的N个堆叠的晶体管包括第一晶体管M
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910871710.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：互补信号生成电路
- 下一篇：用于负载开关的多路高速宽带过流检测电路及控制方法
