[发明专利]再生电极有效

专利信息
申请号: 201910872152.3 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN110491763B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 铃木崇之 申请(专利权)人: A·SAT株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 代理人: 李永虎;李伟波
地址: 日本东京都中*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种可以高精度地测量等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法以及具有高精度气体导入孔的电极。本发明的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法,用于测量沿厚度方向贯穿等离子体蚀刻装置用电极中的基材而设置的气体导入孔,包括:使光从基材的一面侧朝向气体导入孔进行照射;获得通过气体导入孔而透过基材的另一面侧的光的二维图像;以及基于二维图像,测量气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。
搜索关键词: 再生 电极
【主权项】:
1.一种等离子体蚀刻装置用的再生电极,设有贯穿基材的厚度方向的气体导入孔,其特征在于,/n测量再生前的电极的所述气体导入孔的状态,基于所述气体导入孔的测量结果来进行所述基材的表面研磨和所述气体导入孔的内壁面加工的至少一种,测量加工后的所述气体导入孔的状态。/n
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