[发明专利]一种局部钝化接触结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种局部钝化接触结构的制备方法，包括生长隧穿氧化层及非晶硅层、非晶硅层上局部印刷掺杂浆料、高温退火与氧化、去除非掺杂区氧化层、利用碱刻蚀去除非掺杂区多晶硅层，形成局部钝化接触结构。本发明局部钝化接触结构极大拓展了钝化接触的应用范围，使其不再局限在受光面。同时，本发明局部钝化接触结构的制备方法，无需额外掩膜步骤即可形成局部结构，该方法工艺窗口大、易于实施，非常适合进行产业化推广。

主权项

1.一种局部钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：/nS101、在晶体硅基体表面生长一层隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上沉积本征非晶硅层；/nS102、在所述本征非晶硅层上局部印刷掺杂浆料并烘干；/nS103、对步骤S102处理后的晶体硅基体进行高温热处理，使得所述掺杂浆料中的掺杂元素在高温下扩散进入所述本征非晶硅层中完成掺杂，以在印刷掺杂浆料区域形成重度掺杂多晶硅层，在未印刷掺杂浆料区域形成多晶硅层；/n在热处理过程中，通入氧气或水蒸气，以在所述重度掺杂多晶硅区域和多晶硅层上均形成氧化层；其中，所述印刷掺杂浆料区域的氧化层厚度大于所述未印刷掺杂浆料区域的氧化层厚度；/nS104、将步骤S103处理后的晶体硅基体浸入HF溶液中，完全去除所述未印刷掺杂浆料区域的氧化层，去除部分所述印刷掺杂浆料区域的氧化层；/nS105、将步骤S104处理后的晶体硅基体浸入碱性溶液中，进行选择性刻蚀；/nS106、将步骤S105处理后的晶体硅基体浸入HF溶液中，去除剩余的所述印刷掺杂浆料区域的氧化层，并用去离子水漂洗后进行烘干。/n