[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910873604.X 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110565060B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 高传增;王顺;李文杰;李伟民;罗海林;冯叶;陈明;钟国华;杨春雷 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/58;H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,包括:制备铜铟镓预制层;在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层,硒与铜镓之和的摩尔比大于1;将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使预制层硒化,然后从退火炉中抽除硒蒸汽;将铜铟镓预制层从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在第三预定时间内通入硫化氢气体,以使预制层硫化,制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行,避免硒化的过度和不均匀性,同时也保证了硫化的质量,提高光吸收层的品质。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 光吸收 制备 方法
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,其特征在于,包括:/n应用磁控溅射工艺制备获得铜铟镓预制层;/n在所述铜铟镓预制层上蒸发沉积形成硒薄膜层,硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比大于1;/n将沉积形成硒薄膜层后的铜铟镓预制层置于退火炉中;/n将所述铜铟镓预制层加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;/n将所述铜铟镓预制层从所述第一预定温度加热升温至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使所述铜铟镓预制层硒化,然后从所述退火炉中抽除硒蒸气;/n将所述铜铟镓预制层从所述第二预定温度加热升温至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在所述第三预定时间内向所述退火炉中通入硫化氢气体,以使所述铜铟镓预制层硫化,制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。/n
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