[发明专利]一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面有效
申请号: | 201910874689.3 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110718762B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 王海明;尹杰茜;陈志宁;无奇;洪伟 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 孟红梅 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面。本发明通过在每个单元上引入预相位,解决了传统1比特超表面在对垂直入射平面波进行波束赋形时会出现对称波束的困难。本发明的1比特超表面利用有一定厚度的介质板,将1比特单元随机放置在两个不同高度的平面,实现相对的预相位差;1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片,通过四个矩形贴片连接被十字缝切割的方形贴片实现1比特两个状态之间的切换。本发明能够在平面波入射垂直入射的情况下实现单波束,引入的预相位在改变出射方向无需重新调整,只需切换1比特单元的状态。本发明具有宽带特性、可重构潜力、工程可实现性强等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面波 垂直 入射 激励 波束 比特 表面 | ||
【主权项】:
1.一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面,其特征在于,所述超表面利用有一定厚度的介质板,将1比特单元随机放置在两个不同高度的平面,利用相对高度差实现相对预相位差;所述1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片,通过四个矩形贴片连接被十字缝切割的方形贴片实现1比特两个状态之间的切换,当被十字缝切割的方形贴片不连通时,1比特单元为状态0,当被十字缝切割的方形贴片连通时,1比特单元为状态1。/n
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