[发明专利]一种配置清洗设备的离子源刻蚀腔室及离子束清洗方法有效

专利信息
申请号: 201910875495.5 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN110571120B 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 胡冬冬;李娜;程实然;侯永刚;王铖熠;刘海洋;郭颂;许开东 申请(专利权)人: 江苏鲁汶仪器有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 221300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种配置清洗设备的离子源刻蚀腔室及离子束清洗方法,属于半导体器件及芯片等的制造设备领域。该刻蚀腔室由反应腔及离子源固定腔组成;反应腔与离子源固定腔相互连通;反应腔内的中心处设有摇摆电极,离子源固定腔内设有离子源;反应腔与离子源固定腔的连通处之间设有挡板;挡板通过外部驱动旋转从而移动至离子源的发射束端;反应腔的底部与分子真空泵相互连通;所述的反应腔上设有若干个离子束发生器;离子束发生器外部充气装置及控制相连;通过离子束对刻蚀腔室内进行污染物清洗。本发明提供的配置清洗设备的离子源刻蚀腔室及离子束清洗方法,可清洗刻蚀腔室内所残留的污染物,保证了蚀刻腔室的清洁。
搜索关键词: 一种 配置 清洗 设备 离子源 刻蚀 离子束 方法
【主权项】:
1.一种配置清洗设备的离子源刻蚀腔室,该刻蚀腔室由反应腔及离子源固定腔组成;反应腔与离子源固定腔相互连通;反应腔内的中心处设有摇摆电极,离子源固定腔内设有离子源;反应腔与离子源固定腔的连通处之间设有挡板;挡板通过外部电机驱动旋转从而移动至离子源的发射束端;反应腔的底部与分子真空泵相互连通;其特征在于:所述的反应腔上设有若干个离子束发生器;离子束发生器外部充气装置及控制相连;通过离子束对刻蚀腔室内进行污染物清洗。/n
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