[发明专利]一种TFT背板的制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT背板的制作方法，包括准备一衬底基板10，在所述衬底基板10上形成第一缓冲层21，在所述第一缓冲层21上形成第二缓冲层22，在所述第二缓冲层22上形成若干个栅极30和像素电极40，所述栅极30和像素电极40间隔设置；本发明的TFT背板的制作方法通过利用像素电极在衬底基板同一个像素区域内分别形成强度不相等的电场，有效地改善了大尺寸液晶显示器在大视角下的颜色失真，提高了产品的竞争力。

主权项

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括/n准备一衬底基板(10)，/n在所述衬底基板(10)上形成第一缓冲层(21)，在所述第一缓冲层(21)上形成第二缓冲层(22)，/n在所述第二缓冲层(22)上形成若干个栅极(30)和像素电极(40)，所述栅极(30)和像素电极(40)间隔设置，/n在所述第二缓冲层(22)未覆盖区表面和所述栅极(30)和像素电极(40)表面形成第一绝缘层(51)，所述第一绝缘层(51)上均布设置有若干个弧形凹陷(52)，在所述第一绝缘层(51)上形成第二绝缘层(53)，/n在所述第二绝缘层(53)上形成间隔设置的像存储电容(60)和第一非晶体硅薄膜(71)，/n在所述第一非晶体硅薄膜(71)上形成半导体层(80)，/n在所述半导体层(80)中间部位形成第二非晶体硅薄膜(72)，/n在所述半导体层(80)未被非晶体硅薄膜(72)覆盖的表面形成两第一导电层(91)和第二导电层(92)，/n在所述第一导电层(91)和第二导电层(92)上分别形成漏极(110)和源极(120)，/n所述源极(120)上形成第三非晶体硅薄膜(73)，/n在所述第三非晶体硅薄膜(73)上表面、第二绝缘层(53)未覆盖的上表面和存储电容(60)上表面上形成第三绝缘层(54)，在所述第三绝缘层(54)上表面上形成第四绝缘层(55)，/n在所述第二导电层(92)上连接第三导电层(93)和第四导电层(94)，所述第三导电层(93)和第四导电层(94)分别与存储电容(60)和像素电极(40)联通，/n在所述第一导电层(91)和第二导电层(92)上还分别连接有第一介电层(131)和第二介电层(132)，所述第一介电层(131)和第二介电层(132)均与栅极(30)联通。/n