[发明专利]忆阻器的防过写电路及方法有效
| 申请号： | 201910877343.9 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110827897B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王兴晟;黄恩铭;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 张英 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器防过写电路及方法，其中该电路包括信号控制模块，其用于采集忆阻器写回路电流并生成回路关断信号，回路关断信号对忆阻器回路的字线晶体管或设置的可控开关或写电压输入的选择器进行电压切换控制关断；在方法上主要包括如下步骤：采集忆阻器存储单元的写回路电流信号；依据写回路电流信号生成支路关断信号；依据支路关断信号实现写支路的断开。按照本发明实现的防过写电路和方法，解决了忆阻器写操作中存在的大电流与过操作带来的电阻随机涨落问题。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 电路 方法 | ||
【主权项】：
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