[发明专利]在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法在审
| 申请号： | 201910877386.7 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110611013A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周策;徐亚东;董江鹏;张滨滨;杨皓 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/467;H01L21/67;H01L31/0236;B81C1/00 |
| 代理公司： | 61204 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法，用于解决现有制备的亚波长微结构形状、形貌连续可调性差的技术问题。技术方案是利用氧气作为刻蚀气体，采用反应离子刻蚀的方法对PS微球进行预刻蚀，利用氧气等离子体与PS微球的化学反应以及离子轰击效应对PS微球进行刻蚀。通过调节刻蚀工艺参数，选取射频功率范围，氧气流量范围，刻蚀气压，刻蚀时间，能够在短时间内实现对PS微球尺寸的连续可调。采用控制射频功率、刻蚀气氛，调节刻蚀自偏压，提高了ZnTe晶体的刻蚀速率。调节刻蚀工艺过程，调节参数射频功率，自偏压，刻蚀气氛，刻蚀气压，刻蚀时间范围，实现对亚波长微结构形状的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 射频功率 微结构形状 刻蚀气氛 刻蚀气压 亚波长 自偏压 亚波长微结构阵列 形貌 反应离子刻蚀 刻蚀工艺参数 刻蚀工艺过程 氧气等离子体 化学反应 表面制备 刻蚀气体 离子轰击 连续可调 氧气流量 晶体的 可调性 预刻蚀 碲化锌 制备 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种在碲化锌表面制备亚波长微结构阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：/n步骤一、将碲化锌晶锭沿<110>方向定向切割成尺寸为10×10×1mm的晶片备用；/n步骤二、将切割好的晶体先利用MgO水浊液进行粗抛，直至无肉眼可见划痕；随后利用体积比为H
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
