[发明专利]一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件有效
| 申请号： | 201910877965.1 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110718763B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 温良恭;吴欣羽 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，该器件包括：CMOS兼容电路系统和多个金属层，相邻金属层之间设置有介质层；至少有一个金属层为超材料结构层；超材料结构层与至少一个CMOS器件集成，CMOS器件用于调整超材料结构层的电磁响应特性；CMOS兼容电路系统用于将不同控制电压传送至CMOS器件，以动态调谐可调谐超材料器件。通过将超材料与CMOS器件进行集成，并通过CMOS兼容电路系统控制CMOS器件的偏置电压，加工制造工艺为标准CMOS工艺，工艺简单，稳定性高，易于实现规模化生产，能够大大降低生产成本；且该器件具有设计流程标准，不依赖工艺、材料等特点，并可利用不同CMOS工艺节点实现较宽的可调谐超材料响应频段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 调谐 材料 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，包括：CMOS兼容电路系统和多个金属层，相邻金属层之间设置有介质层；其特征在于，/n至少有一个所述金属层为超材料结构层；所述超材料结构层与至少一个CMOS器件集成，所述CMOS器件用于调整所述超材料结构层的电磁响应特性；/n所述CMOS兼容电路系统用于将不同控制电压传送至CMOS器件，以对所述可调谐超材料器件进行可控动态调谐。/n
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