[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910878492.7 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110571278A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 安藤善范;宫人秀和;山出直人;比嘉麻子;铃木视喜;家田義纪;铃木康太;根井孝征;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/34;H01L21/84;H01L21/02;H01L21/469;H01L21/4757;H01L21/477;H01L21/822;C23C14/08;C23C14/3 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 绝缘膜 电特性 氢分子 阻挡膜 氧化物半导体膜 化学计量组成 氧化物半导体 热脱附谱 晶体管 脱离 分析 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一绝缘膜；/n所述第一绝缘膜上的第一阻挡膜；/n所述第一阻挡膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括包含超过化学计量组成的氧的区域；以及/n所述第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管，/n其中，从下方到上方的氢的扩散被抑制。/n
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