[发明专利]一种基于忆阻的三元件混沌信号发生器在审

专利信息
申请号: 201910878614.2 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN110535625A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 徐权;谭啸;包伯成;武花干 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 于桂贤<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 213164 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出了一种由两个忆阻和一个电容并联构成的新颖的三元件混沌信号发生器,该信号发生器的电路实现具有简单的拓扑结构,但可产生混沌行为即电路可运行于混沌状态产生混沌信号。根据电路原理图制作了硬件电路原型,并对电路产生的混沌行为进行了实验测量验证。结果表明,所提出的一种基于忆阻的三元件混沌信号发生器具有简单的拓扑结构,可将该混沌信号源应用在基于混沌的工程领域。
搜索关键词: 混沌信号发生器 混沌行为 拓扑结构 电路原理图 混沌信号源 信号发生器 电路产生 电路实现 电容并联 工程领域 混沌信号 混沌状态 实验测量 硬件电路 混沌 原型 电路 验证 制作 应用
【主权项】:
1.一种基于忆阻的三元件混沌信号发生器,其特征在于:包括一个电容C1,一个二阶无源广义忆阻M1和一个一阶有源忆阻M2,所述电容C1、二阶无源广义忆阻M1和一阶有源忆阻M2三个元件为并联连接,且二阶无源广义忆阻M1的A端与电容C1的正极端C连接,二阶无源广义忆阻M1的B端与电容C1的负极端D连接;一阶有源忆阻忆阻M2的E端与电容C1的正极端C连接,一阶有源忆阻忆阻M2的F端与电容C1的负极端D连接;电容C1的负极端接“地”。/n
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