[发明专利]肖特基二极管管芯及其制备方法、二极管和光伏组件在审
| 申请号： | 201910878839.8 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110491947A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 闫勇 | 申请（专利权）人： | 苏州城邦达益材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 荣颖佳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提出一种肖特基二极管管芯及其制备方法、二极管和光伏组件，涉及光伏发电技术领域。管芯包括单晶硅衬底、肖特基势垒结、控制PN结、保护PN结、隔离介质、管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属，在第一侧面设置有多个腐蚀坑，控制PN结设置在腐蚀坑坑壁上，管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属均由第一侧面引出。本公开能够更好地消减高频脉冲电流和浪涌电流，管芯应力小，便于集成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 接触金属 腐蚀坑 负电极 正电极 高频脉冲电流 肖特基二极管 肖特基势垒结 单晶硅 二极管 侧面设置 隔离介质 光伏发电 光伏组件 集成封装 浪涌电流 衬底 坑壁 消减 制备 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管管芯，包括单晶硅衬底、肖特基势垒结、控制PN结、保护PN结、隔离介质、管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属，其特征在于：/n在所述单晶硅衬底的第一侧面设置有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑规则排列在所述单晶硅衬底的第一侧面，所述控制PN结设置在所述腐蚀坑坑壁上；/n所述肖特基势垒结设置在所述单晶硅衬底的第一侧面毗邻所述控制PN结的平面上，所述保护PN结设置在所述肖特基势垒结未与所述控制PN结相邻的边缘，且所述肖特基势垒结的边缘与所述控制PN结或所述保护PN结相衔接；/n所述管芯正电极接触金属与所述肖特基势垒结的正极、所述控制PN结的正极、所述保护PN结的正极欧姆接触，所述管芯负电极接触金属与所述单晶硅衬底欧姆接触，且所述管芯正电极接触金属和所述管芯负电极接触金属均由所述单晶硅衬底的第一侧面引出；/n所述隔离介质覆盖于所述单晶硅衬底的第一侧面除电极接触区之外的区域，所述电极接触区包括所述管芯正电极接触金属与所述肖特基势垒结的正极、所述控制PN结的正极、所述保护PN结的正极接触的区域，以及，所述管芯负电极接触金属与所述单晶硅衬底接触的区域。/n
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