[发明专利]光掩模制造方法、检查方法及装置、描绘装置有效
申请号: | 201910879805.0 | 申请日: | 2016-02-06 |
公开(公告)号: | CN110609436B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 剑持大介 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供光掩模制造方法、检查方法及装置、描绘装置,能够提高在被转印体上形成的图案的坐标精度。本发明的光掩模的制造方法具有:准备图案设计数据A的工序;准备表示基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序;准备表示在曝光装置上保持光掩模时的主表面的形状的转印面形状数据C的工序;采用厚度分布数据T和转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序;估算与描绘差值数据F对应的主表面上的多个点处的坐标偏差量来求出描绘用坐标偏差量数据G的工序;采用描绘用坐标偏差量数据G和图案设计数据A在光掩模坯体上进行描绘的描绘工序。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 检查 装置 描绘 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的制造方法,所述制造方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体,并利用描绘装置描绘预定的转印用图案,在该光掩模的制造方法中,具有以下的工序:/n根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序;/n准备表示所述基板的厚度分布的厚度分布数据T的工序;/n准备转印面形状数据C的工序,该转印面形状数据C表示所述光掩模保持在曝光装置中、并且在所述光掩模的背面受到用于对抗所述光掩模的自重而降低挠曲的力时的所述主表面的形状;/n采用所述厚度分布数据T和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序;/n估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序;以及/n描绘工序,采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A,在所述光掩模坯体上进行描绘。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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