[发明专利]晶圆结合的方法及晶圆结合设备在审
| 申请号： | 201910880360.8 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112038219A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄信华;刘丙寅;曹昌宸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种将第一晶圆结合到第二晶圆的方法。所述方法包括将第一晶圆对准第二晶圆，以使第一晶圆与第二晶圆垂直地堆叠且具有在横向上平行延伸的实质上平的轮廓。所述方法还包括使第一晶圆与第二晶圆在晶圆间界面处彼此直接接触。所述使第一晶圆与第二晶圆直接接触包括使第一晶圆变形以使第一晶圆具有弯曲的轮廓且晶圆间界面被局部化到第一晶圆的中心。在使第一晶圆变形期间第二晶圆维持其实质上平的轮廓。所述方法还包括使第一晶圆和/或第二晶圆变形以使晶圆间界面从第一晶圆的中心到第一晶圆的边缘逐渐扩张。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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