[发明专利]一种GaN基Micro-LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201910880984.X | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110581206A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 汪炼成;高祥;龙林云;胡泽林;万荣桥 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40;H01L27/15;H01L21/78 |
| 代理公司： | 43235 长沙轩荣专利代理有限公司 | 代理人： | 黄艺平 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基Micro‑LED及其制备方法，所述Micro‑LED包括GaN基Micro‑LED芯片和Si衬底；所述芯片由下到上设有介质膜和n‑GaN层；所述n‑GaN层表面具有上台阶部和下台阶部；所述n‑GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p‑GaN层和反射镜电极，所述n‑GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属；所述GaN基Micro‑LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。上述GaN基Micro‑LED具有垂直方向的谐振微腔结构，发光半高宽窄、发光方向性好、发光速度快；Micro‑LED由GaN基材料组成，芯片厚度经减薄后，光提取效率得到提高、体积更小、集成度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 上台阶部 下台阶 衬底 发光 芯片 欧姆接触金属 发光方向性 光提取效率 倒装焊接 谐振微腔 集成度 电极 反射镜 介质膜 宽窄 减薄 制备 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基Micro-LED，其特征在于，所述Micro-LED包括GaN基Micro-LED芯片和Si衬底；所述GaN基Micro-LED芯片由下到上设有介质膜和n-GaN层；所述n-GaN层表面具有上台阶部和下台阶部；所述n-GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p-GaN层和反射镜电极，所述n-GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属；所述GaN基Micro-LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。/n
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