[发明专利]一种提高LED亮度的外延方法有效
| 申请号： | 201910881462.1 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110676356B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 彭鹏 | 申请（专利权）人： | 陕西飞米企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED亮度的外延方法，传统LED的多重量子阱生长过程中，在最后一层量子垒结束后，新增一层不同于量子垒的外延粗化层，其中反应室内气氛环境依旧沿用量子垒生长条件，即反应室内气氛环境为V族气体源载气及通入反应室内气体，新增后的LED外延结构依次为接触层、P型掺杂层、P型阻滞层、外延粗化层、多重量子阱、应力释放层、N型阻滞层、N型掺杂层、非掺杂层、缓冲层和衬底。本发明用于提高LED的亮度和器件效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 亮度 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高LED亮度的外延方法，其特征在于，传统LED的多重量子阱生长过程中，在最后一层量子垒结束后，新增一层不同于量子垒的外延粗化层，其中反应室内气氛环境依旧沿用量子垒生长条件，即反应室内气氛环境为V族气体源载气及通入反应室内气体，新增后的LED外延结构依次为接触层、P型掺杂层、P型阻滞层、外延粗化层、多重量子阱、应力释放层、N型阻滞层、N型掺杂层、非掺杂层、缓冲层和衬底。/n
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