[发明专利]复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在审
| 申请号： | 201910881763.4 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110767745A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;徐华;吴为敬;陈为峰;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 贺红星 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了复合金属氧化物半导体，该复合金属氧化物半导体为金属氧化物中掺有稀土氧化物，该复合金属氧化物可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下，有效抑制薄膜中的氧空位浓度，同时，其迁移率可以保持在较高的值；关键的，形成的薄膜能避免光照对I‑V特性和稳定性的影响，大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供基于该复合金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 复合金属氧化物 半导体 薄膜 光照 金属氧化物半导体器件 薄膜晶体管 金属氧化物 稀土氧化物 有效抑制 迁移率 氧化镨 氧化镱 氧空位 掺杂 应用 | ||
【主权项】：
1.复合金属氧化物半导体，其特征在于，该复合金属氧化物半导体为金属氧化物中掺有稀土氧化物；/n所述金属氧化物为氧化锌、氧化镓中的一种或两种与氧化铟形成的金属氧化物半导体；所述稀土氧化物为氧化镨和/或氧化镱；稀土氧化物中镨和/或镱与金属氧化物的摩尔比为0.002-0.4:1；/n所述复合金属氧化物半导体存在光生载流子快速复合中心。/n
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