[发明专利]一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法

摘要

本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。本发明解决了由于异质结构的硬度、密度不同，造成在平坦化过程中异质结构的切削速率不同，导致晶圆基片表面异质结构的高度差较大问题。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。

主权项

1.一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，其特征在于包括如下步骤：/n(1)机械研磨，经过微工艺加工，在晶圆基片表面形成异质结构，使用晶片减薄机，对该晶圆基片表面进行机械减薄，去除表面厚度，缩减晶圆基片表面异质结构间的高度差；/n(2)测厚，采用测厚仪对机械研磨后的晶圆表面异质结构进行厚度测量；若表面异质结构之间测量厚度差值超出预设厚度，则重复进行步骤(1)，直至测量厚度符合要求；/n(3)机械抛光，使用晶片减薄机，对机械研磨后的晶圆表面进行机械抛光，进一步缩小晶圆基片表面异质结构件的高度差；/n(4)测厚，采用测厚仪对机械抛光后的晶圆表面异质结构进行厚度测量；若表面异质结构之间测量厚度差值超出预设厚度，则重复进行步骤(3)，直至测量厚度符合要求；/n(5)化学机械抛光，使用化学机械抛光设备，对机械研磨、抛光后的晶圆基片表面进行化学机械抛光，使得晶圆基片表面异质结构间的高度一致，晶圆基片表面成为一个平面；/n(6)测厚，采用探针式轮廓仪测量化学机械抛光后的晶圆基片表面异质结构间的高度差，若满足预设厚度，则完成对晶圆级异质结构的平坦化，否则重复步骤(5)直至满足要求。/n