[发明专利]一种低温碳化硅陶瓷及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910882493.9 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110627507B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;吴利翔;袁进豪;牛文彬;詹创添;朱林林;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/64;C04B35/65;C04B35/645;F41H5/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种低温碳化硅陶瓷及其制备方法和应用，所述低温碳化硅陶瓷是将Al粉、Si粉和C粉均匀混合后，先将Al‑Si‑C混合粉体在1500～1800℃下加热反应，然后将反应后所得粉体A在空气或氧气下继续在600～1000℃加热处理，再将热处理后所得粉体B在真空或氩气下1500～1800℃烧结制得。本发明制得的碳化硅陶瓷的致密度为95～100％，粒径为10nm～10μm，硬度为25～40GPa，断裂韧性为8～12MPa·m |
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| 搜索关键词： | 一种 低温 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种低温碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低温碳化硅陶瓷是将Al粉、Si粉和C粉均匀混合后，先将Al-Si-C混合粉体在1500～1800℃下加热反应，然后将反应后所得粉体A在空气或氧气下继续在600～1000℃加热处理，再将热处理后所得粉体B在真空或氩气下1500～1800℃烧结制得。/n
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